碳化硅密封环制造工艺

碳化硅是共价性很强的非氧化物材料，Si-C间键的离子性仅为14%。Si-C键的高稳定度一方面赋于SiC高的熔点和硬度以及化学惰性，另一方面致使烧结时的扩散率相当低。只有在添加剂的参与下，控制原料的纯度和细度，通过加压或在特定的气氛下才能使它烧结。碳化硅密封环制造工艺主要为：原料处理-混料-成型-烧结-磨削与研磨-组装。

原料处理工艺：不同球磨时间和料球比的的SiC原料的比表面测定。
成型工艺：采用干压成型和等静压成型工艺，前者适宜形状简单，批量较大的制品，后者对单件少量、复杂形状的制品较为适宜，且等静压碳化硅密封环的密度与性能均较干压的制品为高为优。
热压工艺：将加压和烧结过程合在一起的工艺称热压。
无压烧结工艺：将成型后的碳化硅素坯在炉内进行保护气体下高温烧结称为无压烧结。
磨削与研磨：碳化硅是一种硬而脆的陶瓷材料，为防止产品崩边掉角，必需作锐角倒钝处理。只有选择合适的磨料及粒度、严格控制磨削速率和必要的工装条件，才能达到密封端面的表面粗糙度要求。
组装工艺：碳化硅密封环除了有整体结构外，还大量采用热套镶装结构，与碳化硅密封环镶装的环座材料以钦合金居多。